マイクロン・テクノロジー MU NASDAQ
Micron Technology, Inc.|DRAM、NAND、NOR、HBM、高性能SSDなどを開発・製造する米国のメモリ半導体大手。AIデータセンター、クラウド、PC、スマートフォン、自動車、産業機器向けにメモリ・ストレージ製品を供給する。
※2026年6月25日時点の情報
事業内容
2026年6月25日時点の時価総額は約1兆2,000億米ドル。米国市場で直近取引日となる2026年6月24日の終値は1,048.51ドルとなった。
1978年設立。本社は米国アイダホ州ボイシに置き、会長兼社長兼最高経営責任者はサンジェイ・メロトラ氏。NASDAQグローバル・セレクト・マーケットに上場している。会計年度は8月31日に最も近い木曜日に終了する52週または53週制で、2026年度は53週となる。
2026年度第3四半期は、売上高414億5,600万ドル、営業利益333億1,800万ドル、純利益282億4,300万ドル、希薄化後EPS24.67ドルとなった。AIデータセンター向けHBM、サーバーDRAM、データセンターSSDに加え、モバイル、PC、自動車向け製品も増収に寄与した。第4四半期は売上高500億ドル前後、GAAPベースの粗利益率約86%、希薄化後EPS30.73ドル前後を見込む。
Cloud Memory Business Unit:HBM・クラウド向けメモリ
Cloud Memory Business Unit 売上高推移(百万米ドル)
Cloud Memory Business Unitは、クラウドサービス事業者やAIアクセラレーター向けの高性能メモリを担当する。中心製品はHBM、高容量DDR5、低消費電力メモリ、AIサーバー向けメモリモジュールである。
AIモデルの学習と推論では、演算装置の性能だけでなく、大量のデータを短時間で供給するメモリ帯域がシステム性能を左右する。HBMは複数のDRAMダイを積層し、広い入出力幅を使ってGPUやAIアクセラレーターへデータを供給するため、一般的なサーバーDRAMより高い技術力と製造難易度を必要とする。
Micronは1-beta DRAM技術を採用したHBM4を主要顧客向けに量産出荷しており、複数の最終顧客にも認定用サンプルを供給している。次世代のHBM4Eは1-gamma DRAMを採用し、2027年中の量産開始を計画している。
HBMではDRAMダイの微細化だけでなく、積層、接合、熱管理、歩留まり、顧客プラットフォームごとの認定が重要となる。製造工程が複雑であるため、供給能力を短期間で増やすことは難しく、AIインフラ投資が供給を上回る局面では価格と利益率が上昇しやすい。
一方、HBMは通常のDRAMより多くのウエハー投入量を必要とする。HBMの生産拡大は汎用DRAMの供給量にも影響し、サーバーDRAMやPC・モバイル向けDRAMの需給を引き締める要因となる。
2026年度第3四半期の高い営業利益率は、HBM需要、メモリ供給制約、販売価格上昇が重なった結果である。今後はHBM4の量産歩留まり、顧客認定、先端パッケージ能力の増強速度が収益拡大の持続性を左右する。
事業部門の現在の区分は2025年に導入されたため、過去5年間を同一基準で比較できる部門別数値は開示されていない。グラフは現行区分で比較可能な3四半期を掲載している。
Core Data Center Business Unit:サーバーDRAM・データセンターSSD
Core Data Center Business Unit 売上高推移(百万米ドル)
Core Data Center Business Unitは、クラウド以外を含むデータセンター向けサーバーDRAM、エンタープライズSSD、ストレージ製品を担当する。AIサーバーの増設に加え、既存サーバーのメモリ搭載量増加と高速ストレージへの移行が需要を押し上げる。
AI学習基盤では大量の学習データを保存し、演算ノードへ継続的に供給する必要がある。推論サービスでも、検索拡張生成、データベース、キャッシュ、チェックポイント保存などに大容量SSDが使用されるため、AI投資はHBMだけでなくNAND需要にも波及する。
MicronはG9 NANDを採用したPCIe Gen6高性能SSDを量産している。PCIe Gen6はデータ転送速度を高め、AIサーバーや高性能コンピューティング環境の入出力ボトルネックを軽減する製品となる。
大容量分野では245TBのQLC SSDの出荷を開始した。QLCは1セル当たり4ビットを保存することで容量当たりコストを下げやすく、AIデータレイク、オブジェクトストレージ、読み出し中心の大容量用途でHDDからSSDへの移行を促す可能性がある。
サーバーDRAMではDDR5の高速化と大容量化が進む。Micronは1-gamma DRAMと3次元ダイ積層技術を採用した256GB DDR5 RDIMMの認定用サンプルを、主要なサーバーエコシステム企業へ出荷している。
データセンター向け製品は一般消費者向け製品より認定期間が長い反面、一度採用されると継続供給につながりやすい。大手顧客との複数年契約は販売量の可視性を高め、過去のメモリ市況で見られた急激な在庫調整を緩和する狙いがある。
NANDはDRAMより競合企業が多く、供給能力の増加が価格下落に直結しやすい。QLC製品の耐久性、コントローラー性能、ファームウエア、顧客認定を含めた総合的な製品競争力が利益率を左右する。
事業部門の現在の区分は2025年に導入されたため、グラフは現行区分で比較可能な3四半期を掲載している。
Mobile and Client Business Unit:スマートフォン・PC向けメモリ
Mobile and Client Business Unit 売上高推移(百万米ドル)
Mobile and Client Business Unitは、スマートフォン、タブレット、ノートPC、デスクトップPC、ワークステーション向けのDRAM、NAND、SSD、UFSなどを担当する。
スマートフォン向けではLPDDR5Xなどの低消費電力DRAMと、UFS規格の組み込みストレージを供給する。端末上で生成AIや画像処理を実行する場合、従来より大きなメモリ容量と高い帯域が必要となり、上位機種を中心にメモリ搭載量が増える可能性がある。
1-gammaプロセスを採用した16Gb LPDDR5Xは大手スマートフォンメーカーで量産立ち上げが進み、24Gb LPDDR5Xも複数の顧客へサンプル出荷されている。微細化は性能と電力効率の改善だけでなく、ウエハー1枚当たりのビット生産量を高める役割も持つ。
AIサーバー向けのLP5X SOCAMM2は量産段階に入っている。SOCAMMは低消費電力DRAMをサーバー向けモジュールとして利用する技術で、AI推論サーバーの電力効率とメモリ容量を高める用途が想定される。
PC向けではDDR5、GDDR、クライアントSSDを供給する。G9 NANDを採用したGen5 QLCクライアントSSDは主要顧客の認定を取得しており、AI PCや高性能PCにおける高速ストレージ需要を取り込む。
PCとスマートフォン市場は出荷台数の影響を受けるが、1台当たりメモリ容量の増加によって、完成品出荷が横ばいでもメモリ需要量が増える場合がある。端末内AIの普及速度と、消費者が高価格帯端末へ移行するかが中期的な成長要因となる。
一方、モバイルとPCは在庫調整の影響を受けやすい。端末メーカーや流通在庫が積み上がると、短期間に発注が減少し、DRAM・NAND価格が下落する可能性がある。
事業部門の現在の区分は2025年に導入されたため、グラフは現行区分で比較可能な3四半期を掲載している。
Automotive and Embedded Business Unit:車載・産業・組み込み
Automotive and Embedded Business Unit 売上高推移(百万米ドル)
Automotive and Embedded Business Unitは、自動車、産業機器、通信機器、ネットワーク機器、民生機器などに使用されるDRAM、NAND、NOR、組み込みストレージを担当する。
自動車では運転支援、インフォテインメント、デジタルコックピット、車載ネットワーク、電動化制御、自動運転などの高度化に伴い、車両1台当たりのメモリ搭載量が増加する。
Micronの1-gamma LPDDR5は車載製品としての準備段階に到達し、主要顧客へサンプルを供給している。1-gamma DDR5の最初のサンプルはロボタクシー顧客へ出荷された。
NANDではG9世代を採用した車載向けUFS 4.1製品の量産出荷を開始した。UFSは地図、センサーデータ、車載アプリケーション、映像、AIモデルなどを高速に読み書きする組み込みストレージとして使用される。
車載メモリには広い温度範囲、長期耐久性、品質管理、長期間の安定供給が求められる。顧客認定に時間を要する一方、採用後は同じ車種やプラットフォームで長期供給が続く傾向がある。
産業機器と通信機器では、エッジAI、工場自動化、監視システム、ネットワーク設備などが需要源となる。データ処理をクラウドだけでなく現場側でも実行する流れは、低消費電力かつ高耐久のメモリ需要を増やす。
自動車・産業向けは製品寿命と認定期間が長く、一般消費者向けより安定した収益基盤となり得る。ただし、自動車生産の減速、産業設備投資の停滞、顧客在庫の積み上がりによって短期的な調整が発生する場合がある。
事業部門の現在の区分は2025年に導入されたため、グラフは現行区分で比較可能な3四半期を掲載している。
直近5年業績サマリー
| 業績項目 | FY2021 | FY2022 | FY2023 | FY2024 | FY2025 | FY2026参考値 Q4見通し反映 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 売上高 | 27,705 | 30,758 前年差 +3,053 / +11.0% | 15,540 前年差 -15,218 / -49.5% | 25,111 前年差 +9,571 / +61.6% | 37,378 前年差 +12,267 / +48.9% | 128,959 前年差 +91,581 / +245.0% 9カ月実績とQ4中央値の合計 |
| 営業損益 | 6,283 | 9,702 前年差 +3,419 / +54.4% | -5,745 前年差 -15,447 / 赤字転落 | 1,304 前年差 +7,049 / 黒字転換 | 9,770 前年差 +8,466 / +649.2% | – |
| 経常損益 (税引前損益) |
6,218 | 9,571 前年差 +3,353 / +53.9% | -5,658 前年差 -15,229 / 赤字転落 | 1,240 前年差 +6,898 / 黒字転換 | 9,654 前年差 +8,414 / +678.5% | – |
| 当期純利益 | 5,861 | 8,687 前年差 +2,826 / +48.2% | -5,833 前年差 -14,520 / 赤字転落 | 778 前年差 +6,611 / 黒字転換 | 8,539 前年差 +7,761 / +997.6% | – |
| EPS | 5.22ドル | 7.74ドル 前年差 +2.52ドル / +48.2% | -5.20ドル 前年差 -12.94ドル / 赤字転落 | 0.69ドル 前年差 +5.89ドル / 黒字転換 | 7.61ドル 前年差 +6.91ドル / +997.6% | 72.07ドル 前年差 +64.46ドル / +847.4% 四半期GAAP EPSの単純合計 |
| PER | 14.11倍 | 7.30倍 | – | 138.85倍 | 15.64倍 | 14.55倍 株価1,048.51ドル基準 |
| PBR | 1.88倍 | 1.27倍 | 1.78倍 | 2.39倍 | 2.47倍 | – |
| BPS | 39.14ドル | 44.46ドル 前年差 +5.32ドル / +13.6% | 39.31ドル 前年差 -5.16ドル / -11.6% | 40.21ドル 前年差 +0.90ドル / +2.3% | 48.26ドル 前年差 +8.05ドル / +20.0% | – |
| 純資産 | 43,933 | 49,907 前年差 +5,974 / +13.6% | 44,120 前年差 -5,787 / -11.6% | 45,131 前年差 +1,011 / +2.3% | 54,165 前年差 +9,034 / +20.0% | – |
| 営業CF | 12,468 | 15,181 前年差 +2,713 / +21.8% | 1,559 前年差 -13,622 / -89.7% | 8,507 前年差 +6,948 / +445.7% | 17,525 前年差 +9,018 / +106.0% | – |
| 投資CF | -10,589 | -11,585 前年差 -996 / 支出拡大 | -6,191 前年差 +5,394 / 支出縮小 | -8,309 前年差 -2,118 / 支出拡大 | -14,087 前年差 -5,778 / 支出拡大 | – |
| 財務CF | -1,781 | -2,980 前年差 -1,199 / 支出拡大 | 4,983 前年差 +7,963 / 収入転換 | -1,842 前年差 -6,825 / 支出転換 | -850 前年差 +992 / 支出縮小 | – |
| 現金及び現金同等物 | 7,763 | 8,262 前年差 +499 / +6.4% | 8,577 前年差 +315 / +3.8% | 7,041 前年差 -1,536 / -17.9% | 9,642 前年差 +2,601 / +36.9% | – |
Micronの会計年度は8月31日に最も近い木曜日に終了するため、各年度の期末日は暦年によって異なる。
EPS、BPS、PER、PBRは比較条件を統一するため、FY2025 Form 10-Kで確認できる発行済株式数1,122,466,035株を使用して再計算した。期末近辺終値はFY2021が73.70ドル、FY2022が56.53ドル、FY2023が69.94ドル、FY2024が96.24ドル、FY2025が119.01ドル。
FY2023は純損失のためPERを記載していない。FY2026参考値は9カ月実績に第4四半期会社見通しの中央値を加えた単純計算であり、会社が公表した通期業績予想ではない。
中期経営計画
AI時代のメモリ需要に対応する生産・技術・長期契約戦略
Micronは、日本企業で一般的に見られる固定年度の中期経営計画と通期数値目標を一体化した資料を公表していない。直近の決算説明資料では、第4四半期の業績見通し、複数年の顧客契約、HBMロードマップ、先端DRAM・NANDへの移行、生産拠点増強を中期戦略として示している。
基本方針は、AIインフラで重要性が増すHBM、サーバーDRAM、データセンターSSDへの供給を拡大しながら、技術世代の移行と供給規律を両立させることである。HBM4、HBM4E、1-gamma DRAM、G9 NANDを順次量産し、高付加価値製品の売上構成を高める。
2026年度第3四半期までに16件の戦略的顧客契約を締結した。多くは2030年末までの5年間を対象とし、自動車向け契約は主に3年間となる。契約には購入義務と価格決定の仕組みが含まれ、DRAM数量の約20%、NAND数量の約3分の1をカバーする。
計画中の契約をすべて締結した場合、将来的に売上高の半分以上が複数年契約の対象となる見通しが示されている。これにより販売量の予測可能性を高め、設備投資判断と顧客の供給確保を連動させる。
生産面では米国アイダホ州の新工場ID1で2027年半ば、ID2で2028年後半の初期ウエハー生産を計画する。台湾・銅鑼の既存工場は2027年半ばから生産への寄与を見込み、シンガポールの先端パッケージ能力も2027年前半から段階的に拡大する。
設備投資は短期利益より将来の供給能力確保を優先する規模となる。AI需要が計画どおり拡大すれば大きな売上成長余地が生じる一方、工場建設と技術移行には長いリードタイムがあるため、需要変化に対する柔軟性は限定される。
FY2026第3四半期戦略資料へ競合他社
1. Samsung Electronics Co., Ltd.(KRX:005930)
時価総額:約1兆4,470億米ドル
株価:340,500ウォン
競合分野:HBM、DRAM、NAND、SSD、UFS、組み込みメモリ
Samsung Electronicsは、Micronと最も広い製品範囲で競合する。HBM、サーバーDDR5、LPDDR、GDDR、V-NAND、データセンターSSD、PC向けSSD、UFSまで、Micronの主要製品群と重なる。
2026年12月期第1四半期は、連結売上高133.9兆ウォン、営業利益57.2兆ウォンとなった。Device Solutions部門は売上高81.7兆ウォン、営業利益53.7兆ウォンとなり、AI向けメモリ需要と販売価格上昇が業績を押し上げた。
Samsungの強みは、DRAMとNANDの大規模生産能力に加え、ロジック半導体、ファウンドリー、先端パッケージをグループ内に持つ点にある。スマートフォン、家電、ディスプレイなどの自社最終製品も保有し、半導体以外の事業から得るキャッシュフローを研究開発と設備投資へ振り向けられる。
HBM4と次世代HBMの顧客認定、歩留まり、供給量が安定した場合、Micronが注力するAIアクセラレーター向け市場で価格競争と供給能力競争が強まる可能性がある。
ただし、時価総額と連結業績にはスマートフォン、家電、ディスプレイ、ファウンドリーなど、メモリ以外の事業も含まれるため、Micronとの単純比較には注意が必要となる。
2. SK hynix Inc.(KRX:000660)
時価総額:約1兆1,850億米ドル
株価:2,580,000ウォン
競合分野:HBM、DRAM、NAND、エンタープライズSSD
SK hynixは、Micronと同じくメモリ半導体を主力とするため、事業構造上の直接的な競合企業となる。特にAIアクセラレーター向けHBM、サーバーDRAM、モバイルDRAM、NAND、データセンターSSDで競合する。
2026年第1四半期は売上高52.5763兆ウォン、営業利益37.6103兆ウォン、純利益40.3459兆ウォンとなり、四半期として過去最高水準の業績を記録した。HBMと高性能サーバー製品の販売拡大が主要因となった。
SK hynixはHBM市場で先行して顧客認定と量産実績を積み上げている。HBM4、先端DRAM、AIサーバー向けメモリモジュールの供給能力を拡大し、主要AI半導体企業との関係を強化している。
NAND事業ではSolidigmを通じてエンタープライズSSDを展開する。大容量QLC SSD、データセンターSSD、クライアントSSDはMicronのG9 NAND製品や245TB QLC SSDと直接競合する。
SK hynixがHBMの技術・供給面で主導権を維持した場合、MicronのHBM4採用拡大にとって最大の競争上の障壁となる。両社の競争は単純な価格だけでなく、帯域、消費電力、発熱、積層技術、歩留まり、顧客認定速度で決まる。
3. キオクシアホールディングス(東証:285A)
時価総額:約3,120億米ドル
株価:92,500円
競合分野:NAND、データセンターSSD、PC向けSSD、UFS
キオクシアはNANDフラッシュメモリとSSDを主力とする。DRAMやHBMを生産していないため、Micronとの競合はNAND、データセンターSSD、クライアントSSD、UFS、組み込みストレージが中心となる。
2026年3月期は売上収益2兆3,376億円、営業利益8,762億円、親会社の所有者に帰属する当期利益5,345億円となった。AIデータセンター向けストレージ需要とNAND市況が業績を大きく左右する。
BiCS FLASHを基盤とする3次元NANDを開発し、データセンター、PC、スマートフォン、自動車、産業機器向けに製品を供給する。SanDiskとの共同生産体制を通じて大規模なNAND製造能力を保有する。
MicronのG9 NAND、PCIe Gen6 SSD、245TB QLC SSDに対し、キオクシアも大容量・高性能・低消費電力を軸に競争する。NANDでは供給量の増加が市場価格に反映されやすく、両社の設備投資とビット供給成長率が市況に影響する。
キオクシアはNANDに経営資源を集中できる一方、MicronはDRAM、HBM、NANDを組み合わせてデータセンター顧客へ提案できる。AIサーバー全体への製品展開ではMicronが広く、NAND専業としての技術集中ではキオクシアが競争力を持つ。
強みと将来性
HBM・DRAM・NANDを一体で展開する米国メモリメーカー
Micronの最大の強みは、DRAMとNANDの双方で先端プロセスを開発し、HBM、サーバーDRAM、SSD、モバイル、車載まで一社で供給できる点にある。AIデータセンターではHBMだけでなく、CPU用DRAM、ストレージ用NAND、ネットワーク機器用メモリも必要になるため、複数の製品領域で需要を取り込める。
米国に本社を置く主要メモリメーカーとして、米国内の半導体供給網強化を重視する政策の恩恵を受けやすい。アイダホ州とニューヨーク州を含む米国内投資は、顧客にとって地政学的な供給分散の選択肢となる。
HBM4を量産出荷し、HBM4Eを1-gamma DRAMで開発している点は、AIアクセラレーター世代交代への対応力を示す。HBMは一般的なDRAMより技術的な参入障壁が高く、顧客認定を通過したメーカーが限られる。
HBM需要が増えると、同じウエハー投入量から生産できる汎用DRAMの数量が減少する。MicronはHBMの販売増とDRAM市場全体の供給規律という二つの面から、需給改善の恩恵を受ける可能性がある。
NANDではG9世代、PCIe Gen6 SSD、245TB QLC SSDを展開している。AIデータセンターの投資はGPUやHBMだけで完結せず、学習データ、モデル、チェックポイント、推論データを保存する大容量ストレージ需要を生む。
4事業部門への再編によって、クラウドAI、コアデータセンター、モバイル・PC、自動車・組み込みの収益性を個別に管理できるようになった。2026年度第3四半期は全事業部門で高い増収率と営業利益率を記録し、AI需要がクラウド以外にも広がっている。
戦略的顧客契約は、メモリ業界に特有の販売量と価格の不確実性を抑える取り組みとなる。複数年の購入義務と価格決定方法を契約化することで、設備投資、生産計画、顧客供給を従来より連動させやすくなる。
FY2026第3四半期の営業キャッシュフローは253億8,800万ドルとなり、設備投資を行いながらも大きなキャッシュ創出力を示した。現金、短期投資、使途制限付現金の合計は302億ドルとなり、次世代工場と先端パッケージへの投資余力を確保している。
将来性の中心は、AIモデルの大規模化、推論処理の増加、企業データの蓄積、端末内AI、自動運転、エッジコンピューティングによる1システム当たりメモリ搭載量の増加である。
AI半導体の演算能力が上昇するほど、データを供給するメモリ帯域と保存容量も増やす必要がある。メモリがシステム性能を制限する局面では、HBM、DDR5、LPDDR、SSDの重要性が高まり、Micronの製品ポートフォリオ全体に成長機会が生じる。
弱みとリスク要因
メモリ市況、巨額設備投資、HBM量産競争への依存
Micronの業績はDRAMとNANDの販売価格に強く左右される。メモリ製品は需給変化による価格変動が大きく、供給不足時には利益率が急上昇する一方、供給過剰になると短期間で赤字へ転落する。
FY2022の純利益86億8,700万ドルからFY2023には58億3,300万ドルの純損失へ転落し、FY2024には黒字へ戻った。過去の業績推移は、製品競争力が維持されていても市況によって損益が大きく変動することを示す。
FY2026第3四半期の粗利益率と営業利益率は、AI需要と供給制約を背景に極めて高い水準となった。この収益性が長期間継続することを前提とした投資判断では、供給増加や顧客在庫調整が始まった場合の利益減少幅が大きくなる。
FY2026の設備投資は約270億ドルを見込み、翌年度も高水準の投資が続く可能性がある。半導体工場は建設から量産まで長い時間を要するため、完成時点の需要が投資決定時の想定を下回るリスクがある。
工場稼働率が低下しても減価償却費や固定費は発生する。需要減少局面で新設備が稼働すると、供給過剰、価格下落、在庫評価損、設備減損が同時に発生する可能性がある。
HBMは積層、接合、熱管理、パッケージ、歩留まりの難易度が高い。HBM4やHBM4Eの量産立ち上げが遅れた場合、顧客の次世代AIプラットフォームへの採用機会を失うおそれがある。
顧客認定には長い期間を要し、主要AI半導体企業やクラウド事業者の製品計画に影響される。特定顧客のプラットフォーム延期、仕様変更、発注量削減は、HBMの売上計画と設備稼働率に直接影響する。
Samsung ElectronicsとSK hynixは、Micronを上回る生産規模や設備投資能力を持つ。両社がHBM4の歩留まりと供給能力を高めれば、Micronの販売価格、採用比率、利益率に圧力がかかる。
NANDではSamsung、SK hynix、キオクシアなど複数企業が競合する。技術世代の移行によって各社のビット生産量が増えるため、需要成長を上回る供給増加が発生しやすい。
米国、中国、台湾、日本、シンガポールなどにまたがる生産・販売体制は、輸出規制、関税、補助金条件、地政学的緊張、自然災害、電力・水供給の制約に影響される。
中国当局による製品購入制限や、米国による先端半導体関連の輸出規制は、販売可能な市場と顧客構成を変化させる。規制対象の拡大や各国の報復措置が発生した場合、売上と供給網の双方に影響が及ぶ。
複数年の戦略的顧客契約は販売量の可視性を高める一方、契約価格の仕組みや供給義務によって、市場価格が想定以上に上昇した場合の利益機会が制限される可能性がある。顧客側の信用力や契約履行も確認すべき要素となる。
2026年6月24日の株価は、FY2026の急速な利益拡大とAIメモリの成長を相当程度織り込んでいる。HBM認定、設備投資、生産立ち上げ、販売価格のいずれかが市場予想を下回った場合、業績が増益でも株価が調整する可能性がある。
出典
- Micron Technology 公式サイト
- Micron Technology Investor Relations
- Micron 製品情報
- Micron メモリ製品情報
- Micron 四半期決算資料
- Micron FY2026第3四半期決算説明資料
- Micron FY2025 Form 10-K
- Micron SEC提出書類
- Samsung Electronics 決算資料
- SK hynix 2026年第1四半期決算資料
- キオクシアホールディングス IR情報
本ページは公開情報を基に作成した企業分析であり、特定の有価証券の取得、売却、保有を推奨するものではありません。株価、時価総額、為替換算額、業績予想は市場環境や企業開示により変動します。投資判断は最新の決算資料、適時開示、SEC提出書類等を確認したうえで行ってください。

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